(相關(guān)資料圖)
近年來，由于DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片需求疲軟，導(dǎo)致價格持續(xù)下跌。不過，這種趨勢似乎即將結(jié)束。根據(jù)集邦咨詢最新研究報告，預(yù)計在2024年，內(nèi)存和閃存原廠將繼續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴(yán)重的閃存。同時，消費電子市場需求在2024年上半年仍然不明確，服務(wù)器需求相對疲弱。由于內(nèi)存和閃存市場在2023年已經(jīng)處于低谷，價格也達(dá)到相對低點，因此預(yù)計在2024年，內(nèi)存和閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％和16.0％，相比今年高出大約6.5個和5.0個百分點。雖然這仍遠(yuǎn)低于2020-2021年的增長勢頭，但至少可以緩解一些壓力。在PC領(lǐng)域，預(yù)計明年下半年DDR5內(nèi)存將成為主流，因為Intel Meteor Lake處理器不再支持DDR4。而在手機領(lǐng)域，預(yù)計明年手機內(nèi)存平均容量將增長約14.3％，但智能手機市場疲軟，出貨量增長僅約2.2％，且移動內(nèi)存平均價格仍然處于低位。此外，手機存儲容量預(yù)計也將增長約13.0％，但受成本限制，1TB以上的中低端機型暫時不會多。QLC閃存一直沒有獲得認(rèn)可，因此手機空間增長將會比較緩慢。
